下列物質(zhì)將損壞白金（坩堝和傳感器）

l  鹵素（Cl2，F(xiàn)2，Br2），王水

l  Li2CO3 ，CO2釋出之前

l  PbO，F(xiàn)eCl3

l  Be 合金（在熔點(diǎn)以上即開(kāi)始揮發(fā)）

l  HCl與氧化性物質(zhì)（如鉻酸，錳酸鹽，三價(jià)鐵鹽，熔融鹽）混合

l  還原性氣氛

l  金屬和金屬蒸汽，如Pb，Zn，Sn，Ag，Au，Hg，Li，Na，K，Sb，Bi，Ni，F(xiàn)e，steel，As，Si

l  P, B

l  Se在320℃以上（建議在測(cè)試完成后立即冷卻并移去樣品，以防止硒的揮發(fā)）

l  金屬氧化物與還原性物質(zhì)混合，如C、有機(jī)化合物或H2

l  高溫下氧化物在惰性氣體中（還原反應(yīng)）

l  S（使表面粗糙、脆化）

l  較高溫度下，堿金屬類(lèi)氫氧化物，堿金屬碳酸鹽、堿金屬硫酸鹽、堿金屬Cyanide以及堿金屬硫Cyanide

l  KHSO4，較高溫度下

l  碳黑或單體碳，1000℃以上

l  SiO2，還原性條件下

l  SiC和Si3N4，1000℃以上（元素Si的釋放）

l  HBr，KCN溶液，較高溫度下

l  耐高溫氧化物，1000℃以上

l  新加入：PbTe

白金（坩堝和傳感器）對(duì)下列物質(zhì)不具備抵抗力

l  KNO3與NaOH混合物，700℃，無(wú)空氣存在情況下

l  KOH與K2S混合物，700℃，無(wú)空氣存在情況下

l  LiCl，600℃

l  Na2O2，500℃，無(wú)空氣存在情況下

l  MgCl2，Ba(NO3)2，700℃

l  HBr，HI，H2O2（30%）與HNO3，100℃

l  KCl（熔融過(guò)程中的分解產(chǎn)物具有破壞性，熔點(diǎn)：768℃）

白金（坩堝和傳感器）對(duì)下列物質(zhì)抵抗力有限

l  KHF2，LiF，NaCl，900℃

l  NaOH與NaNO3的混合物，700℃，無(wú)空氣存在情況下

下列物質(zhì)將損壞氧化鋁

l  N2在碳的存在下：形成AlN。因此較高溫度下在氮?dú)鈿夥罩杏肁l2O3坩堝測(cè)試碳黑是危險(xiǎn)的。

l  F2：將形成AlF3與O2

l  Cl2：在700℃以上形成AlCl3

l  S：與液態(tài)硫不反應(yīng)，若氣相中存在碳，則在較高溫度下形成硫化物。

l  H2S：在加熱情況下將形成高至3%的Al2S3

l  C：約從1400℃起將形成碳化物與Al。

l  HF：在較高溫度下定量生成AlF3與H2O

l  CuSO4：約從1000℃起擴(kuò)散滲透坩堝底部

l  含Si化合物(如MoSi2)：在惰性氣氛下約從1200℃起污染氧化鋁坩堝；在空氣氣氛下將在接觸點(diǎn)發(fā)生反應(yīng)。

l  金屬氟化物：熔融后發(fā)生反應(yīng)，形成AlF6陰離子與類(lèi)似于冰晶石的無(wú)機(jī)鹽。

l  SiO2玻璃：熔融后的玻璃將溶解Al2O3

l  堿金屬與堿土金屬的硫酸氫鹽

l  HCl：600℃之前無(wú)反應(yīng)，600℃后在碳的存在下反應(yīng)程度逐漸增加。

l  B2O3或硼砂：熔體將溶解Al2O3，形成硼酸鋁與硼化鋁

l  堿金屬與堿土金屬的氧化物，以及其含揮發(fā)性陰離子的鹽類(lèi)：熔融物與氧化鋁反應(yīng)形成鋁酸鹽或復(fù)氧化物，這對(duì)于氫氧化物、氮化物、硝酸鹽、碳酸鹽、過(guò)氧化物等尤為重要。

l  CaC2：加熱后形成Al4C3

l  PbO：700℃以上發(fā)生反應(yīng)。對(duì)于更高價(jià)的鉛氧化物以及帶揮發(fā)性酸根的鉛鹽同樣如此。

l  UO3：450℃以上開(kāi)始反應(yīng)，與PbO情況相似。

l  MeIIO：Me = Fe2+，Co2+，Ni2+ 等，形成尖晶石，1200℃以上形成CaO。

l  堿金屬與堿土金屬的鐵酸鹽：熔融物將溶解氧化鋁

l  LiF

l  熔融范圍在800℃～1200℃之間的鋯合金：緩慢微弱的反應(yīng)

l  某些金屬合金，如Fe與4%的Al

l  鈦合金（*的氧氣親和性）

l  在高溫下可能與Fe-Ni合金和Mg合金反應(yīng)

下列物質(zhì)將損壞石墨

l  O2，400℃以上

l  熔融金屬，如Fe，Co，Ni，Na

l  N2，1700℃開(kāi)始反應(yīng)（形成少量的Cyanide）

l  氧化物（在直接接觸情況下可能被還原）

l  水蒸氣

l  F2，Br2，室溫下

l  S

l  Si，1400℃（形成SiC）

l  鉻酸（含水）

l  ClSO2OH Cl-SO3H

l  SiO2：通過(guò)中間產(chǎn)物SiO形成SiC（1800℃以上得到技術(shù)意義上的SiC產(chǎn)物；也就是說(shuō)，SiO2與C之間的反應(yīng)必定在較低的溫度下即已開(kāi)始進(jìn)行）

l  氧化氮?dú)怏w（NO，NO2）

l  濃縮硫酸H2SO4，在約150℃。高濃度硫酸H2SO4，室溫

l  稀釋硝酸HNO3，在約90℃。高濃度HNO3，室溫。

l  SO3，100℃以上

l  與高氯酸HClO4混合有爆炸危險(xiǎn)。

l  NaOCl，50℃以上

備注：

1．以上列表不保證羅列了所有可能對(duì)坩堝有害的物質(zhì)或反應(yīng)。

2． 所給出的各溫度主要為文獻(xiàn)值。由此，在實(shí)際的測(cè)試條件下可能在較低的溫度下就會(huì)出現(xiàn)反應(yīng)。建議對(duì)于可能有危害性的樣品，先在其它爐體中作預(yù)試驗(yàn)。